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http://repositorio.ifam.edu.br/jspui/handle/4321/1152| Tipo: | Trabalho de Conclusão de Curso |
| Título: | Caracterização elétrica do transistor mosfet |
| Autor(es): | Silva , Mário Jorge Aragão da |
| Primeiro Orientador: | Cordeiro, Celso Souza |
| metadata.dc.contributor.referee1: | Cordeiro, Celso Souza |
| metadata.dc.contributor.referee2: | Souza, José Geraldo de Pontes |
| metadata.dc.contributor.referee3: | Ribeiro, Ewerton Andrey Godinho |
| Resumo: | O conhecimento dos transistores é de suma importância para o estudante de eletrônica. Objetiva-se neste trabalho fazer a caracterização elétrica do transistor Mosfet. Trata-se de uma pesquisa bibliográfica e do uso dos instrumentos de medição dos laboratórios do IFAM-CMDI, serão coletadas informações de seu funcionamento como tensão, corrente e curva característica, para isso será montado um circuito simples em um protoboard. Após coletadas as medições de tensão e corrente do transistor Mosfet, esses dados serão inseridos no simulador MultiSim. Os resultados das medições elétricas no protoboard e no simulador MultiSim serão comparadas com o datasheet do transistor Mosfet 2N7000. Foi possível concluir que os resultados obtidos das medições elétricas de tensão, corrente e curva característica do transistor 2N7000 se aproximam dos valores no datasheet do referido transistor. |
| Abstract: | Knowledge of transistors is of paramount importance for the student of electronics. The objective of this work is to make the electrical characterization of the Mosfet transistor. This is bibliographical research and the use of measuring instruments from the IFAM-CMDI laboratories, information on their operation will be collected such as voltage, current and characteristic curve, for which a simple circuit will be mounted on a protoboard. After collecting the voltage and current measurements of the Mosfet transistor, these data will be inserted into the MultiSim simulator. The results of the electrical measurements on the breadboard and the MultiSim simulator will be compared with the Mosfet 2N7000 transistor datasheet. It was possible to conclude that the results obtained from electrical measurements of voltage, current and characteristic curve of the 2N7000 transistor are close to the values in the datasheet of said transistor. |
| Palavras-chave: | Caracterização Elétrica Transistor Fosfet |
| CNPq: | CNPQ::OUTROS |
| Idioma: | por |
| País: | Brasil |
| Sigla da Instituição: | Instituto Federal do Amazonas IFAM Tecnologia em Eletrônica Industrial Instituto Federal do Amazonas IFAM Tecnologia em Eletrônica Industrial Instituto Federal do Amazonas IFAM Tecnologia em Eletrônica Industrial |
| metadata.dc.publisher.department: | Campus Manaus Distrito |
| Citação: | SILVA, Mário Jorge Aragão da. Caracterização elétrica do transistor Mosfet. 2023. Monografia (Graduação em Tecnologia em Eletrônica Industrial) - Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Amazonas, Campus Manaus Distrito Industrial, Manaus, 2023. |
| Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
| URI: | http://repositorio.ifam.edu.br/jspui/handle/4321/1152 |
| Data do documento: | 23-Fev-2023 |
| Aparece nas coleções: | Monografia_Eletrônica Industrial |
Arquivos associados a este item:
| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Caracterização elétrica do transistor mosfet_Silva_2023.pdf.pdf | Monografia_Eletrônica Industrial - IFAM Campus Manaus Distrito Industrial | 2,12 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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